Новый IGBT-транзистор компании Cree позволяет уменьшить потери мощности на 50%

Компания Cree объявила о выпуске нового гибридного прибора – IGBT-транзистора с интегрированным антипараллельным SiC-диодом Шоттки (6А, 600В). Новый прибор CID150660 разработан для применений в мощной преобразовательной технике, такой как электроприводы, установки индукционного нагрева, источники бесперебойного питания и др.

Во всех перечисленных устройствах транзисторы инвертора работают в так называемом жестком режиме – их переключение происходит при максимальных значениях токов и напряжений. Спецификой этого режима является необходимость установки антипараллельных диодов, характеристики обратного восстановления которых вносят значительный вклад в динамические потери. Ток обратного восстановления антипараллельного диода протекает через ключевой транзистор во время его открывания, что приводит к значительному рассеиванию мощности как в самом диоде, так и в IGBT-транзисторе. Кроме того, у кремниевых диодов  энергия обратного восстановления увеличивается с ростом температуры и скорости изменения прямого тока di/dt, что всегда присутствует в реальных инверторах.

Радикально снизить ток обратного восстановления и связанные с ним динамические потери в IGBT-транзисторе позволяет применение высоковольтных SiC-диодов с барьером Шоттки. Новый IGBT-транзистор с SiC-диодом Шоттки CID150660 позволит снизить полные динамические потери до 50% и суммарные потери до 25%. CID150660 доступен в корпусе TO-220-3.

Приобрести новинку можно у официального дистрибьютора Cree – компании ПРОСОФТ.