Обратная связь feedback на платформе
Электронные компонентыНовости   Новые мощные кристаллы EZBright от компа...  
23 марта 2007

Новые мощные кристаллы EZBright от компании Cree

Кристаллы сочетают в себе высокую эффективность InGaN-материалов и уникальный оптический дизайн

Компания Cree приступила к массовому производству новых кристаллов мощных светодиодов серии EZBright. Сочетание высокой эффективности InGaN-материалов и уникального оптического дизайна позволяет достичь максимальной эффективности концентрации светового потока и обеспечить ламбертовское распределение излучения.

Стандартное распределение светового потока по поверхности кристаллов достигается применением уникальной технологии. Суть ее заключается в образовании на поверхности оптически прозрачной SiC-подложки системы линз путем травления SiC через специальную маску. Система линз эффективно собирает световой поток с поверхности кристалла и обеспечивает независимость его плотности распределения от временных флуктуаций светового потока по поверхности p-n-перехода. Это, в частности, помогает достичь максимальной эффективности получения белого света с помощью нанесения на кристалл люминофора. В данном случае плотность распределения фосфора в геле может быть оптимально подобрана в соответствии с плотностью распределения светового потока по площади кристалла и останется инвариантной к деградационным процессам излучающего перехода.

Кристаллы Cree EZBright обладают низким прямым напряжением и обеспечивают квантовый выход более 50%. Смещение контактных площадок катода на край кристалла позволяет увеличить до 90% площадь излучения поверхности. Для снижения плотности тока контактная система имеет две точки разварки проводников катода, что снижает омические потери при токах более 350 мА в 2 раза. Размер кристалла светодиодов составляет 980 х 980 мкм, высота - около 100 мкм.

Приобрести полупроводниковые кристаллы EZBright можно у официального дистрибьютора - компании ПРОСОФТ.


Cree

Компания Cree Inc. является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы от Cree на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми изделиями. В настоящее время Cree производит высоковольтные SiC-диоды Шотки по технологии ZERO RECOVERYTM с нулевым временем обратного восстановления, СВЧ-полевые транзисторы, а также кристаллы для светодиодов и полупроводниковых лазеров синего и ультрафиолетового диапазона.

На территории России и стран СНГ приобрести продукцию Cree Inc можно у компании ПРОСОФТ и ее региональных дилеров.