27 марта 2007
Мощные SiC-кристаллы для силовой электроники по технологии Zero Recovery от компании Cree
Кристаллы CPW2-1200S050 позволяют достичь принципиально нового уровня эффективности силовых инверторов
Компания Cree приступила к серийному производству кристаллов SiC-диодов Шоттки по технологии Zero Recovery с прямым током 50 А и постоянным напряжением 1200 В. Поколение кристаллов CPW2-1200S050 позволяет достичь принципиально нового уровня эффективности силовых инверторов.
По сравнению с традиционными кремниевыми диодами SiC-диоды Шоттки обеспечивают радикальное снижение потерь мощности, упрощают решение вопросов электромагнитной совместимости и позволяют увеличить надежность изделий силовой электроники.
При изготовлении новых кристаллов CPW2-1200S050 размером 8,2 х 4 мм используются SiC-подложки диаметром 100 мм с ультранизкой плотностью дефектов.
Основные области применения приборов на основе SiC-кристаллов CPW2-1200S050: генераторы для индукционного нагрева; промышленные приводы с преобразованием частоты; инверторы для электростанций, использующих энергию солнца и ветра; приводы электромобилей и автомобилей с гибридными двигателями.
Приобрести SiC-кристаллы можно будет во втором квартале 2007 г. у официального дистрибьютора - компании ПРОСОФТ.
Cree
Компания Cree Inc. является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы от Cree на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми изделиями. В настоящее время Cree производит высоковольтные SiC-диоды Шотки по технологии ZERO RECOVERYTM с нулевым временем обратного восстановления, СВЧ-полевые транзисторы, а также кристаллы для светодиодов и полупроводниковых лазеров синего и ультрафиолетового диапазона.
На территории России и стран СНГ приобрести продукцию Cree Inc можно у компании ПРОСОФТ и ее региональных дилеров.