SiC MESFET-транзисторы Cree позволили снизить габариты и стоимость измерительной аппаратуры
Компания Cree сообщает: MILMEGA успешно использует SiC MESFET-транзисторы Cree в качестве комплектующих в своих новых СВЧ-усилителях мощности.
Новые усилители мощности MILMEGA разработаны для рынков тестового оборудования и приборов, предназначенных для измерения электромагнитной совместимости. Для создания СВЧ-усилителей мощности, обладающих высокой надежностью, исключительной плотностью мощности, а также простотой управления сигналом и портативностью, компания MILMEGA использует уникальные преимущества SiC MESFET-транзисторов Cree: сверхширокую полосу частот усиления (DC...2,7 ГГц), высокие значения плотности мощности и КПД.
Как известно, применение в полупроводниковых приборах карбида кремния позволяет достигать наивысшего значения плотности мощности на единицу площади кристалла (по сравнению с другими полупроводниковыми материалами). Это преимущество SiC и позволило компании MILMEGA добиться высокой эффективности своих модулей и приборов на базе SiC MESFET-транзисторов. Кроме того, применение SiC-транзисторов позволило уменьшить габаритные размеры модулей MILMEGA в 3 раза (в отличие от изделий, выполненных на базе других СВЧ-транзисторов).
Уникальные характеристики SiC MESFET-транзисторов Cree помогают продукции компании MILMEGA выигрывать в сравнении с конкурентами не только по техническим характеристикам, но и по стоимости. После того, как MILMEGA представила свои приборы на симпозиуме IEEE EMC, компания незамедлительно получила от клиентов позитивные отзывы о своей новой продукции.
Компания MILMEGA планирует продолжать активно использовать передовые технологии компании Cree (как MESFET, так и HEMT-транзисторы), ориентируясь на создание инновационных продуктов, которые будут востребованы в ближайшем будущем.
Компания Cree является пионером в разработке SiC MESFET-транзисторов и на сегодняшний день сохраняет лидирующие позиции в производстве широкозонных полупроводниковых приборов. Приобрести продукцию Cree можно у официального дистрибьютора на территории России и стран СНГ - компании ПРОСОФТ.
Cree
Компания Cree Inc. является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы от Cree на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми изделиями. В настоящее время Cree производит высоковольтные SiC-диоды Шотки по технологии ZERO RECOVERYTM с нулевым временем обратного восстановления, СВЧ-полевые транзисторы, а также кристаллы для светодиодов и полупроводниковых лазеров синего и ультрафиолетового диапазона.
На территории России и стран СНГ приобрести продукцию Cree Inc можно у компании ПРОСОФТ и ее региональных дилеров.