Ведущий производитель СВЧ-структур и компонентов на основе нитрида галлия — Cree — объявил о заключении соглашения с RFHIC, одним из мировых лидеров в производстве передовых СВЧ-усилителей. Соглашение касается доступа к патентам на усилители Доэрти.
Инновации Cree в области производства СВЧ-компонентов и оригинальная архитектура усилителей Доэрти могут служить основой для разработки современных базовых станций связи, которые используют технологии передачи данных 4-го поколения (4G) и обладают значительно более высоким КПД, чем усилители с обычной схемой. Повсеместное внедрение технологии 4G связано с ростом спроса на мобильный широкополосный доступ в Интернет.
Компания Cree разработала новые схемы, которые позволяют улучшить характеристики классических усилителей Доэрти. В частности, значение КПД может быть увеличено на 5% по сравнению с аналогичными усилителями, основанными на кремниевых LDMOS или арсенид-галлиевых транзисторах. Теперь усилители Cree соответствуют строгим требованиям по КПД и линейности для базовых станций связи, применяющих технологии 4-го поколения LTE, и беспроводным системам, использующим высокое отношение пиковых значений к среднему уровню модулирующих сигналов. При реализации инновационных схем на высокомощных нитрид-галлиевых транзисторах увеличение КПД может достигать 15% относительно классических усилителей Доэрти, выполненных на кремниевых LDMOS-транзисторах.
Усилители Доэрти основаны на фундаментальной СВЧ-архитектуре, разработанной Уильямом Доэрти с использованием вакуумных ламп в 1936 году. При построении архитектуры современного усилителя Доэрти используются два параллельных разделенных транзистора одинаковой мощности: усилитель несущей (для сигналов низкой мощности) и усилитель пиковых значений (для сигналов высокой мощности). Классический усилитель Доэрти с одинаковым разделением мощности позволяет достичь улучшения КПД до 40% по сравнению с традиционными усилителями класса А/В. Интерес к усилителям Доэрти растет одновременно с ростом требований к КПД систем, использующих цифровую модуляцию (например, сети 3G W-CDMA). Приложения, требующие постоянного доступа к сети (в том числе при использовании видеосвязи), ведут к необходимости использования подобных усилителей для поддержки 4G LTE-систем.
Лицензионное соглашение между RFHIC и Cree обязывает компании уважать интеллектуальную собственность друг друга и повышать качество инфраструктуры систем связи.
Подробная информация о программе лицензирования доступа к патентам Cree на усилители Доэрти представлена по ссылке.
ProSoft Components является официальным дистрибьютором компаний Cree и RFHIC в России и странах СНГ. Вы можете обратиться за необходимыми консультациями к нашим специалистам, написав электронное письмо по адресу info@prochip.ru.
Cree
Компания Cree Inc. является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы от Cree на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми изделиями. В настоящее время Cree производит высоковольтные SiC-диоды Шотки по технологии ZERO RECOVERYTM с нулевым временем обратного восстановления, СВЧ-полевые транзисторы, а также кристаллы для светодиодов и полупроводниковых лазеров синего и ультрафиолетового диапазона.
На территории России и стран СНГ приобрести продукцию Cree Inc можно у компании ПРОСОФТ и ее региональных дилеров.
RFHIC
Компания RFHIC — это производитель компонентов и подсистем, которые используются в проводных и беспроводных телекоммуникационных системах и базовых станциях.