Активный компонент вашего бизнеса

Свойства и характеристики SiC

Благодаря своим уникальным физическим и электронным свойствам карбид кремния используют для создания высокоэффективных, высокотемпературных, радиационностойких, а также высокочастотных электронных приборов. В таблице приводится сравнение основных электронных свойств политипов SiC (4H-SiC и 6H-SiC) с кремниевыми (Si) и арсенидгаллиевыми (GaAs) полупроводниковыми материалами.

Наименование4H-SiC6H-SiCGaAsSi
Ширина запрещенной энергетической зоны, эВ3,263,031,431,12
Критическая напряженность электрического поля, МВ/см2,22,40,30,25
Теплопроводность, Вт/см*К3,0...3,83,0...3,80,51,5
Скорость объемного заряда электронов, см/с*1072,02,01,01,0

Основные преимущества SiC полупроводниковых материалов в сравнении с Si и GaAs:

  • Напряженность электрического поля 4Н-SiC при возникновении лавинного пробоя более чем на порядок превышает соответствующие показатели у Si и GaAs. Это приводит к значительному снижению удельного сопротивления в открытом состоянии Ron.
  • Малое удельное сопротивление в открытом состоянии, в сочетании с высокой плотностью тока и теплопроводностью, позволяет использовать очень маленькие по размерам кристаллы для силовых приборов.
  • Высокая теплопроводность SiC снижает тепловое сопротивление кристалла.
  • Электронные свойства приборов на основе SiC очень стабильны во времени и слабо зависят от температуры, что обеспечивает высокую надежность изделий.
  • Карбид кремния чрезвычайно устойчив к жесткой радиации, воздействие которой не приводит к деградации электронных свойств кристалла.
  • Высокая предельная рабочая температура кристалла (более 6000С) позволяет создавать высоконадежные приборы для жестких условий эксплуатации и специальных применений.
  • новинка
  • уцененный товар
  • снято с производства
Скачать каталог
pdf 21,0 МБ
обратная связь