Активный компонент вашего бизнеса

Стандартная спецификация подложек

Применение

  • Высокочастотные силовые приборы
  • Высокомощные приборы
  • Высокотемпературные приборы
  • Оптоэлектронные приборы
  • III-V нитридных структур

Физические свойсвта 4H-SiC и 6H-SiC

ПолитипКристалл 4H-SiCКристалл 6H-SiC
Кристаллическая структурагексагональнаягексагональная
Ширина запрещенной зоны3,26 эВ3,03 эВ
Теплопроводность (n-тип, 0,020 Ом-см)

a ~ 4,2 Вт/см ·K при 298 K

c ~ 3,7 Вт/см ·K при 298 K

Теплопроводность (HPSI)

a ~ 4,9 Вт/см ·K при 298 K

c ~ 3,9 Вт/см ·K при 298 K

Постоянная  кристаллической решеткиa = 3,073 Å; c = 10,053 Åa = 3,081 Å; c = 15,117 Å
Твердость по Моссу~ 9~ 9

Подробная расшифровка номера для заказа подложек приводится в технической документации.

  • новинка
  • уцененный товар
  • снято с производства
Скачать каталог
pdf 21,0 МБ
обратная связь