Активный компонент вашего бизнеса

GaN

Технологии роста GaN подложек

Метод хлоридгидридной газофазной эпитаксии

Компания Cree производит нитрид галлиевые подложки используя метод хлоридгидридной газофазной эпитаксии (HVPE). HCl вступает в реакцию с распыленным Ga, образуя GaCl, который в свою очередь вступает в реакцию с NH3, образуя GaN. Отличительной особенностью данного метода является высокий темп роста, что позволяет выращивать подложки различной толщины в короткие сроки.

Компания Cree применяет метод затравочного выращивания кристаллов, что улучшает прозрачность и электрическую чистоту материалов. Выращивание GaN методом газофазной эпитаксии позволяет получать подложки миллиметровой толщины и затем резать их, получая при этом несколько подложек за один цикл роста. Было обнаружено, что плотность дислокаций имеет зависимость от размера слитка.

Финишная обработка подложек

Компания Cree использует запатентованный химико-механический метод обработки пластин для удаления повреждений от предыдущих шагов их изготовления. После такой обработки подложки среднеквадратичное значение шероховатости поверхности составляет менее 5 Ангстрем, при этом отчетливо прослеживается атомная структура.

Теплопроводность

Теплопроводность подложек компании Cree измереяется как функция температуры методом лазерной вспышки. При комнатной температуре теплопроводность пластин составляет более 220 Вт/м-К.

Полуизолирующие подложки GaN

Компания Cree ведет исследования с полуизолирующими GaN подложками. Скомпенсировать остаточную концентрацию доноров в материале удается, вводя примеси железа. Удельное сопротивление GaN:Fe выше чем 108 Ом-см при комнатной температуре. Полуизолирующие подложки доступны для заказа в необходимых количествах.

Информация для заказа

Информация предоставляется по запросу >>>

  • новинка
  • уцененный товар
  • снято с производства
Скачать каталог
pdf 21,0 МБ
обратная связь