Активный компонент вашего бизнеса

SiC

Параметры эпитаксии на SiC подложках

Стандартные параметры эпитаксиальных слоев на SiC подложках диаметром 50,8 мм, 76,2 мм и 100,0 мм

Ориентация поверхности подложек: рост эпитаксиальных слоев возможен только на подложках off-axis ориентации
Проводимостьn-типp-тип
Легирующая примесьNitrogenAluminum
Концентрация примесейND-NAND-NA
Со стороны Si9*1014-1019 см-39*1014-1019 см-3
Со стороны C1016-1019 см-3
Погрешность± 25%± 50%
Толщина эпитаксиального слоя со стороны Si
0,2-50,0 микрон

± 10% от выбранной

толщины

± 10% от выбранной

толщины

Толщина эпитаксиального слоя со стороны C
0,2-1,0 микрон

± 25% от выбранной

толщины

1,0-10,0 микрон

± 15% от выбранной

толщины

Примечания:

  • Нерабочая область (закраина) пластин диаметром 50,8 мм и 76,2 мм составляет 2 мм от края, для пластин диаметром 100,0 мм – 3 мм
  • N-тип: эпитаксиальный слой <20 микрон, 1018, буферный слой 0,5 микрон
  • N-тип: эпитаксиальный слой > 20 микрон, 1018, буферный слой 1,0 микрон
  • P-тип: буферный слой отсутствует
  • Заданная плотность примеси доступна после определенной толщины эпитаксии
  • Для политипа 6H толщина эпитаксиальных слоев ограничена 10 микрон
  • Возможно выполнение нестандартных заказов

SiC питаксия на подложках диаметром 50,8 мм, 76,2 мм и 100,0 мм

Кол-во эпи-хслоев≤5мк6мк10мк11мк20мк21мк50мк
SiC эпитаксия на подложках диаметром 50,8 мм
1+++++++
2+++++++
3+++++++
4+++++++
SiC эпитаксия на подложках диаметром 76,2 мм
1+++++++
2+++++++
3+++++++
4+++++++
SiC эпитаксия на подложках диаметром 100,0 мм
1+++++

Дополнительная информация содержится в технической документации.

По запросу возможна не стандартная толщина эпитаксиальных слоев.

Информация для заказа

Информация предоставляется по запросу >>>

  • новинка
  • уцененный товар
  • снято с производства
Скачать каталог
pdf 21,0 МБ
обратная связь