Стандартная спецификация подложек
Применение
- Высокочастотные силовые приборы
- Высокомощные приборы
- Высокотемпературные приборы
- Оптоэлектронные приборы
- III-V нитридных структур
Физические свойсвта 4H-SiC и 6H-SiC
| Политип | Кристалл 4H-SiC | Кристалл 6H-SiC |
| Кристаллическая структура | гексагональная | гексагональная |
| Ширина запрещенной зоны | 3,26 эВ | 3,03 эВ |
| Теплопроводность (n-тип, 0,020 Ом-см) |
a ~ 4,2 Вт/см ·K при 298 K c ~ 3,7 Вт/см ·K при 298 K |
– |
| Теплопроводность (HPSI) |
a ~ 4,9 Вт/см ·K при 298 K c ~ 3,9 Вт/см ·K при 298 K |
– |
| Постоянная кристаллической решетки | a = 3,073 Å; c = 10,053 Å | a = 3,081 Å; c = 15,117 Å |
| Твердость по Моссу | ~ 9 | ~ 9 |
Подробная расшифровка номера для заказа подложек приводится в технической документации.
-
WXXXFXX-XXXXСпецификация подложек диаметром 100,0 мм
-
WXXXDXX-XXXXСпецификация подложек диаметром 50,8 мм
-
WXXXEXX-XXXXСпецификация подложек диаметром 76,2 мм