Стандартная спецификация подложек

Применение
- Высокочастотные силовые приборы
- Высокомощные приборы
- Высокотемпературные приборы
- Оптоэлектронные приборы
- III-V нитридных структур
Физические свойсвта 4H-SiC и 6H-SiC
Политип | Кристалл 4H-SiC | Кристалл 6H-SiC |
Кристаллическая структура | гексагональная | гексагональная |
Ширина запрещенной зоны | 3,26 эВ | 3,03 эВ |
Теплопроводность (n-тип, 0,020 Ом-см) |
a ~ 4,2 Вт/см ·K при 298 K c ~ 3,7 Вт/см ·K при 298 K |
– |
Теплопроводность (HPSI) |
a ~ 4,9 Вт/см ·K при 298 K c ~ 3,9 Вт/см ·K при 298 K |
– |
Постоянная кристаллической решетки | a = 3,073 Å; c = 10,053 Å | a = 3,081 Å; c = 15,117 Å |
Твердость по Моссу | ~ 9 | ~ 9 |
Подробная расшифровка номера для заказа подложек приводится в технической документации.
-
WXXXFXX-XXXX
Спецификация подложек диаметром 100,0 мм
-
WXXXDXX-XXXX
Спецификация подложек диаметром 50,8 мм
-
WXXXEXX-XXXX
Спецификация подложек диаметром 76,2 мм