Нитрид‑галлиевые транзисторы NEDITEK для S‑диапазона частот (2,7–3,1 ГГц) с различными выходными мощностями

S‑диапазон — это диапазон частот дециметровых и сантиметровых длин волн, который применяют в наземной и спутниковой связи, а также в радиолокационных системах различных типов.

Для оборудования такого типа компания NEDITEK (NEDI Technology Co., Ltd) предлагает линейку мощных транзисторов на основе нитрида галлия (GaN). В основе приборов — нитрид‑галлиевая структура на подложке из карбида кремния (SiC), то есть технология GaN‑on‑SiC. Она обеспечивает высокую плотность носителей заряда двумерного электронного газа (1,4 · 10¹³ см⁻²) при высокой подвижности (более 1 · 10³ см²/(В · с)).

Максимальная плотность тока достигает 1,6 А/мм. Благодаря этим характеристикам GaN‑приборы демонстрируют превосходные электрические параметры по сравнению с полупроводниковыми структурами на основе кремния (Si) и арсенида галлия (GaAs): они способны работать на более высоких частотах при меньших проектных нормах, что обеспечивает повышенную эффективность и высокую удельную мощность.

Для работы в диапазоне частот 2,7–3,1 ГГц компания предлагает внутрисогласованные транзисторы, рассчитанные на непрерывный и импульсный режимы работы. Выходная мощность в точке насыщения от 130 до 500 Вт. Диапазон температур хранения от −55 до +175 °C. Транзисторы характеризуются небольшой неравномерностью коэффициента усиления во всём рабочем частотном диапазоне. Приборы выпускаются во фланцевых и бесфланцевых герметичных металлокерамических корпусах.

Основные технические характеристики транзисторов

Заказной номер	Начальная частота, ГГц	Конечная частота, ГГц	Мощность в режиме насыщения PSAT, Вт	КПД по добавленной мощности (PAE), %	Коэффициент усиления мощности GP, дБ	Напряжение питания, В	Режим работы	Тип корпуса	Размеры, мм
NDNM01501	2,7	3,1	130	55	12	28	Непрерывный	C164-1	24×17,4×4,4
NDNM01118	2,7	3,1	180	57	12	28	Импульсный	C164-1	24×17,4×4,4
NDNM01119	2,7	3,1	300	55	12	50	Импульсный	C164-1F	24×17,4×4,4
NDNM01183	2,7	3,1	400	55	12	50	Импульсный	C164-1F	24×17,4×4,4
NDNM011873	2,7	3,1	500	55	13	50	100 мкс, 1 мс	JF06F018	30,8×27,4×5

Компания NEDITEK производит широкий ассортимент высокочастотных полупроводниковых транзисторов по арсенид‑галлиевой и нитрид‑галлиевой технологиям — они предназначены для работы в распространённых диапазонах P, L, S, C, X и Ku. Также в линейке представлены высокочастотные корпусированные и бескорпусные (в виде кристаллов) широкополосные и малошумящие усилители мощности, переключатели и фазовращатели.