Сегодня для организации соединения с удаленными дисплеями широко применяется высокоскоростной маломощный интерфейс LVDS (Low Voltage Differential Signaling) — дифференциальный интерфейс для скоростной передачи данных. Применение последовательного интерфейса уменьшает количество межсоединений, снижает потребляемую мощность устройств, стоимость системы, а также позволяет подавлять синфазные шумы, вдвое превышающие амплитуду дифференциального сигнала.
TFEL-дисплеи с разрешением 640×480 пикселей, по сравнению с пассивными ЖК-дисплеями, обеспечивают разработчикам легкий путь к кардинальным усовершенствованиям фотометрических параметров системы.
Применение патентованной технологии ICEBrite (Integrated Contrast and Brightness Enhancement — комплексное увеличение контрастности) позволяет использовать новинку в условиях окружающей засветки.
Благодаря простой конструкции и передовым технологиям производства дисплеи с форматом изображения VGA обеспечивают фотометрические параметры и качество изображения TFEL-дисплеев в проектах с ограниченным бюджетом, но с высокими требованиями к техническим характеристикам ЖК-дисплеев.
Основные технические характеристики TFEL-дисплея EL640.480-AF LVDS:
| Разрешение | 640×480 пикселей |
| Шаг пиксела | 0,202×0,202 мм |
| Габариты модуля (Ш×В×Г) | 182×129×20 мм |
| Рабочая площадь экрана, Ш×В | 129,3×97 мм |
| Размер диагонали экрана | 161 мм (6,4 дюйма) |
| Угол обзора | 179° |
| Время реакции | < 1 мс |
| Яркость | 55 кд/м2 |
| Контрастное отношение (при частоте кадровой развёртки 120 Гц) | 50:1 (при яркости внешней засветки 500 люкс) |
| Напряжение питание (встроенный DC/DC преобразователь) | +12 В |
| Потребляемая мощность (при частоте кадровой развертки 120 Гц) | 4,5 Вт |
| Наработка до отказа, MTTF (мин.) | > 50 000 ч |
| Диапазон рабочих температур | –60…+85°C |
| Влажность (при +40°С, без конденсации влаги) | 93% |
| Высота над уровнем моря (в рабочем режиме) | 18000 м |
| Удар (3 по каждой поверхности) | 100 g, длительность 4 мс |
| Вибрация (случайная) | 5…500 Гц, спектральная плотность 0,05 g2/Гц |