В Wolfspeed в числе прочего вошли сборочный и испытательный центр в Морган-Хилл, штат Калифорния, на южной окраине Силиконовой долины, который с начала 1990-х гг. производит высокочастотные силовые устройства для сотовой инфраструктуры, оборонных и аэрокосмических отраслей.
История Морган-Хилл началась с компании Ericsson Components, когда была сформирована небольшая команда инженеров для разработки и производства кремниевых биполярных устройств — наиболее востребованной на тот момент технологии. Рынок быстро перешел от биполярных транзисторов к LDMOS, что обеспечило превосходную производительность усилителей мощности для сотовой инфраструктуры. В 2000 г., благодаря росту продуктовой линейки, Ericsson начал строительство здания площадью 54 000 квадратных футов в том же бизнес-парке.
За последние 20 лет технологии и оборудование на заводе в Морган Хилл претерпели значительные изменения. В начале 1990-х производство было преимущественно ручным. Сегодня полностью автоматизированные и интегрированные производственные линии производят десятки тысяч продуктов в день. Для точной посадки кристаллов Wolfspeed использует специальное оборудование, позволяющее работать с несколькими пластинами, при этом обеспечивая сверхбыстрый, запатентованный процесс посадки. Готовые сборки проверяются с помощью автоматического оптического контроля прямо на конвейере, по мере того как они продвигаются от одной сборочной машины к другой.
Автоматизация производственных процессов позволила Wolfspeed снизить затраты и конкурировать с офшорными производителями, а также повысить качество и согласованность продукции, что делает продукты Wolfspeed лучшими для клиентов. Тестирование продукта также высоко автоматизировано, чтобы минимизировать временные затраты при обеспечении производительности продукта. LDMOS доминировал на рынке усилителей мощности до коммерциализации GaN-на-SiC, который обеспечивает более высокую плотность мощности и более высокую эффективность. GaN в значительной степени вытеснил LDMOS для оборонных приложений и создает плацдарм в беспроводной инфраструктуре, где эффективность и пропускная способность — ключевые требования.
Поскольку архитектуры усилителей для сотовой инфраструктуры менялись с годами, менялась и топология устройств. Сегодня большинство устройств используются в конфигурациях Догерти, и многие из них производятся в виде «пакетного Догерти-решения», причем основной и пиковый транзисторы собраны в одном корпусе. Производственное тестирование компонентов выполняется в конфигурации Догерти, что обеспечивает высокую доходность сборки платы для клиента.
Производственные мощности Морган Хилл одинаково адаптированы для силовых транзисторов LDMOS и GaN. Выпускаемые компоненты охватывают широкий диапазон частот и уровней мощности: от 300 МГц до более 5 ГГц и c импульсной выходной мощностью от нескольких ватт до 1,4 кВт для новейших транзисторов GaN на SiC. Завод Wolfspeed в Морган-Хилле - крупнейший в США производитель высокочастотных силовых транзисторов, готовый удовлетворить значительный спрос на силовые транзисторы для нового стандарта 5G — как LDMOS, так и GaN.
Характеристики LDMOS-транзисторов Wolfspeed
|
Заказной номер |
Частота, MHz |
Согласование |
P1dB, W |
Усиление, dB |
КПД, % |
Pout, avg, W |
Напряжение питания, V |
Технология |
|
420…960 MHz |
||||||||
|
PTFB072707FH |
728–768 |
I/O |
270 |
18.5 |
39.0 |
60 |
28 |
LDMOS |
|
PTFB090901EA |
920–960 |
I/O |
90 |
19.5 |
40.0 |
25 |
28 |
LDMOS |
|
PTFB090901FA |
920–960 |
I/O |
90 |
19.5 |
40.0 |
25 |
28 |
LDMOS |
|
PTFB091507FH |
920–960 |
I/O |
150 |
20.0 |
38.0 |
50 |
28 |
LDMOS |
|
PTFB091802FC |
920–960 |
I/O |
180 |
19.5 |
34.0 |
55 |
28 |
LDMOS |
|
PTRA094252FC |
746–960 |
I |
208 |
18.5 |
48.0 |
89 |
48 |
LDMOS |
|
PTVA082407NF |
746–821 |
I |
240 |
22.5 |
35.5 |
80 |
48 |
LDMOS |
|
PTVA092407NF |
869–960 |
I |
240 |
22.0 |
39.0 |
80 |
48 |
LDMOS |
|
PTFB092707FH |
925–960 |
I/O |
270 |
19.5 |
33.0 |
63 |
28 |
LDMOS |
|
PTRA083818NF |
733–805 |
I |
275 |
18.0 |
56.0 |
81.3 |
48 |
LDMOS |
|
PTRA082808NF |
790–820 |
I/O |
280 |
15.9 |
44.9 |
56.2 |
48 |
LDMOS |
|
PTRA093302FC |
746–768 |
I |
330 |
17.3 |
51.6 |
79 |
50 |
LDMOS |
|
PTFB093608FV |
920–960 |
I/O |
2X180 |
20.0 |
34.0 |
112 |
28 |
LDMOS |
|
PTVA084007NF |
755-805 |
I/O |
370 |
23.0 |
39.0 |
80 |
48 |
LDMOS |
|
PTRA093818NF |
925-960 |
I/O |
415 |
17.0 |
52.0 |
81.3 |
48 |
LDMOS |
|
PTRA084808NF |
734-821 |
I/O |
480 |
18.0 |
55.0 |
87 |
48 |
LDMOS |
|
PTRA094808NF |
859–960 |
I/O |
480 |
17.5 |
52.5 |
87 |
48 |
LDMOS |
|
PTRA097008NB |
920-960 |
I/O |
630 |
19.5 |
49.0 |
90 |
48 |
LDMOS |
|
420 MHz … 960 MHz |
||||||||
|
PXFC191507FC |
|
I/O |
150 |
20.5 |
31.0 |
32 |
28 |
LDMOS |
|
PTFB181702FC |
1805–1880 |
I/O |
180 |
19.0 |
26.0 |
30 |
28 |
LDMOS |
|
PXAC182002FC |
1805–1880 |
I/O |
70+115 |
16.7 |
51.5 |
28 |
28 |
LDMOS |
|
PXFC192207FH |
1805–1990 |
I/O |
220 |
20.0 |
29.0 |
50 |
28 |
LDMOS |
|
PTFB182503FL |
1805–1880 |
I/O |
240 |
19.0 |
28.0 |
50 |
30 |
LDMOS |
|
PTFB192503FL |
1930–1990 |
I/O |
240 |
19.0 |
28.0 |
50 |
30 |
LDMOS |
|
PXAC182908FV |
1805–1880 |
I/O |
240 |
15.0 |
51.0 |
70 |
28 |
LDMOS |
|
PXAC192908FV |
1930–1995 |
I/O |
240 |
14.0 |
49.0 |
70 |
28 |
LDMOS |
|
PTFB183404E |
1805–1880 |
I/O |
340 |
17.0 |
25.май |
80 |
30 |
LDMOS |
|
PXAD184218FV |
1805–1880 |
I/O |
420 @P3DB |
16.0 |
51.5 |
60 |
28 |
LDMOS |
|
2000 MHz … 960 MHz |
||||||||
|
PTFC210202FC |
2110–2170 |
I/O |
2Х12 |
21.0 |
29.0 |
5 |
28 |
LDMOS |
|
PXAC210552FC |
1805-2170 |
I/O |
55 |
17.2 |
49.0 |
8 |
28 |
LDMOS |
|
PTAC210802FC |
2110–2170 |
I/O |
19+60 |
17.0 |
43.0 |
5 |
28 |
LDMOS |
|
PTFB210801FA |
2110–2170 |
I/O |
80 |
18.5 |
31.0 |
20 |
28 |
LDMOS |
|
PXAC200902FC |
1805-2170 |
I/O |
90 |
17.2 |
50.3 |
15 |
28 |
LDMOS |
|
PXAC201202FC |
1800–2200 |
I/O |
35+80 |
16.7 |
46.0 |
16 |
28 |
LDMOS |
|
PXAC201602FC |
1880–2025 |
I/O |
55+85 |
17.7 |
44.0 |
22 |
28 |
LDMOS |
|
PTFB201402FC |
2010–2025 |
I/O |
2X70 |
17.0 |
36.0 |
20 |
28 |
LDMOS |
|
PTFB211503FL |
2110–2170 |
I/O |
150 |
18.0 |
29.0 |
32 |
30 |
LDMOS |
|
PTFB212503FL |
2110–2170 |
I/O |
240 |
18.0 |
31.0 |
55 |
30 |
LDMOS |
|
PTFB213004F |
2110–2170 |
I/O |
300 |
18.0 |
26.5 |
60 |
30 |
LDMOS |
|
PTFB213208FV |
2110–2170 |
I/O |
2X160 |
17.0 |
33.0 |
50 |
28 |
LDMOS |
|
PXAC213308FV |
2110–2200 |
I/O |
320 |
16.5 |
43.5 |
55 |
28 |
LDMOS |
|
PXAC203302FV |
1880–2025 |
I/O |
330 |
16.5 |
49.0 |
56 |
28 |
LDMOS |
|
PXAD214218FV |
2110–2170 |
I/O |
430 |
16.0 |
49.0 |
56 |
28 |
LDMOS |
|
2300 MHz…2400 MHz |
||||||||
|
PTAC240502FC |
2300–2400 |
I |
17+33 |
14.3 |
44.0 |
10 |
28 |
LDMOS |
|
PXAC241002FC |
2300–2400 |
I/O |
40+60 |
15.5 |
45.0 |
100 |
28 |
LDMOS |
|
PXAC241702FC |
2300–2400 |
I/O |
60+90 |
16.5 |
52.0 |
28 |
28 |
LDMOS |
|
PXAC243502FV |
2300–2400 |
I/O |
150+200 |
15.5 |
44.0 |
68 |
28 |
LDMOS |
|
2500 MHz … 2700 MHz |
||||||||
|
PTFC260202FC |
2495–2690 |
I/O |
2X12 |
20.0 |
30.0 |
5 |
28 |
LDMOS |
|
PTAC260302FC |
2620–2690 |
I/O |
12+17 |
15.5 |
45.0 |
5.5 |
28 |
LDMOS |
|
PXAC260602FC |
2620–2690 |
I/O |
15+50 |
15.7 |
39.0 |
5 |
28 |
LDMOS |
|
PXAC261002FC |
2496–2690 |
I/O |
40+70 |
15.6 |
46.0 |
18 |
28 |
LDMOS |
|
PXAC261212FC |
2496–2690 |
I/O |
50+75 |
15.0 |
48.0 |
28 |
28 |
LDMOS |
|
PTFC261402FC |
2620–2690 |
I/O |
140 |
18.0 |
25.0 |
5 |
28 |
LDMOS |
|
PTFC262157FH |
2620–2690 |
I/O |
200 |
43604.0 |
29.0 |
50 |
28 |
LDMOS |
|
PTFC262808FV |
2620–2690 |
I/O |
280 |
18.0 |
24.0 |
56 |
28 |
LDMOS |
|
900 MHz … 2200 MHz |
||||||||
|
PTFA220121M |
700–2200 |
NO |
15 |
16.0 |
37.0 |
9(PEP) |
28 |
LDMOS |
|
PTFC270051M |
900–2700 |
NO |
7.3 |
20.0 |
60.0 |
– |
28 |
LDMOS |
|
PTFC270101M |
900–2700 |
NO |
12 |
20.0 |
60.0 |
– |
28 |
LDMOS |
|
PTVA120121M |
500–1400 |
NO |
12 |
21.0 |
65.0 |
15 |
50 |
LDMOS |
|
PTVA120252MT |
500–1400 |
NO |
25 |
43696.0 |
64.0 |
– |
50 |
LDMOS |
|
700 MHz … 2200 MHz |
||||||||
|
PTMA080152M |
700–1000 |
I |
20 |
30.0 |
34.0 |
8 |
28 |
LDMOS |
|
PTMA180402M |
1800–2200 |
I |
40 |
30.0 |
16.0 |
5 |
28 |
LDMOS |
|
PTMA210152M |
1800–2200 |
I |
20 |
28.5 |
33.0 |
7 |
28 |
LDMOS |
|
PTMC210124MD |
1800-2200 |
I/O |
6+6 |
30.5 |
16.5 |
1.3 |
28 |
LDMOS |
|
PTMC210204MD |
1805–2200 |
I/O |
10+10 |
30.5 |
19.0 |
2.5 |
28 |
LDMOS |
|
PTMC210404MD |
1805–2200 |
I/O |
20+20 |
31.5 |
19.3 |
5 |
28 |
LDMOS |
|
400 MHz … 1400 MHz |
||||||||
|
PTVA030121EA |
390–450 |
NO |
12 |
25.0 |
69.0 |
- |
50 |
LDMOS |
|
PTVA035002EV |
390–450 |
NO |
400 |
19.5 |
65.0 |
- |
50 |
LDMOS |
|
PTVA042502EC |
470–806 |
I |
250 |
19.0 |
25.5 |
55 |
50 |
LDMOS |
|
PTVA042502FC |
470–806 |
I |
250 |
19.0 |
25.5 |
55 |
50 |
LDMOS |
|
PTVA043502EC |
470–860 |
I/O |
350 |
18.0 |
29.5 |
70 |
50 |
LDMOS |
|
PTVA043502FC |
470–860 |
I/O |
350 |
18.0 |
29.5 |
70 |
50 |
LDMOS |
|
PTVA047002EV |
470–806 |
I |
700 |
17.5 |
29.0 |
130 |
50 |
LDMOS |
|
PTVA102001EA |
1030/1090 |
I/O |
200 |
18.0 |
57.0 |
- |
50 |
LDMOS |
|
PTVA104501EH |
960-1215 |
I/O |
450 |
17.0 |
57.0 |
- |
50 |
LDMOS |
|
PTVA101K02EV |
1030/1090 |
I |
920 |
18.0 |
56.0 |
- |
50 |
LDMOS |
|
PTVA120251EA |
500-1400 |
NO |
30 |
16.0 |
56.0 |
- |
50 |
LDMOS |
|
PTVA120501EA |
1200-1400 |
I |
54 |
16.5 |
55.0 |
- |
50 |
LDMOS |
|
PTVA123501EC |
1200-1400 |
I/O |
375 |
17.0 |
55.0 |
- |
50 |
LDMOS |
|
PTVA123501FC |
1200-1400 |
I/O |
375 |
17.0 |
55.0 |
- |
50 |
LDMOS |
|
PTVA127002EV |
1200-1400 |
I/O |
700 |
16.0 |
56.0 |
- |
50 |
LDMOS |