Радиационно‑стойкие MOSFET‑транзисторы большой мощности для применения в бортовой аппаратуре космических аппаратов, совместимые по параметрам с изделиями семейства R6® компании International Rectifier (HiRel)

Компания Xi’an Microelectronics Technology Institute (XMTI, Китай) разрабатывает радиационно‑стойкие P‑ и N‑канальные MOSFET‑транзисторы, предназначенные для коммутации в бортовых энергетических системах космических аппаратов по ключевым техническим параметрам транзисторы XMTI сопоставимы с изделиями поколения R6® компании International Rectifier (HiRel).

Кроме того, они соответствуют уровню качества Space (класс JANS, Joint Army Navy Space) согласно спецификации MIL‑PRF‑19500.

Производство компонентов ведётся в соответствии с национальным стандартом GJB 33 «Основная спецификация производства полупроводниковых дискретных компонентов для применения в космической аппаратуре». По своим требованиям этот стандарт практически идентичен американскому аналогу.

Основные электрические характеристики

N‑канальные транзисторы:

максимально допустимое напряжение сток‑исток: 20–600 В;
максимальный ток стока: 69 А;
минимальное сопротивление сток‑исток в открытом состоянии (R_DS(ON)): 5 мОм.

P‑канальные транзисторы:

максимально допустимое напряжение сток‑исток: 20–200 В;
максимальный ток стока: 38 А;
минимальное сопротивление сток‑исток в открытом состоянии (R_DS(ON)): 50 мОм.

Радиационная стойкость

Транзисторы обладают следующими показателями устойчивости к радиационным воздействиям:

стойкость к эффекту полной накопленной дозы: ≥100 крад (Si);
стойкость к одиночным эффектам при ЛПЭ (линейные потери энергии) воздействующих ионов: ≥75 МэВ⋅см2/мг.

При указанных уровнях воздействия не наблюдаются критические для полевых транзисторов отказы — SEB (Single Event Burnout — вторичный пробой области истока) и SEGR (Single Event Gate Rupture — локальное разрушение области в подзатворном диэлектрике.)

Ключевые эксплуатационные параметры:

быстрый процесс переключения;
упрощённые требования к схеме управления;
возможность несложного параллельного соединения;
рабочий температурный диапазон: от −55 до +125 ∘C (окружающая среда);
доступные уровни качества: YCT, YB, YC, QY.

MOSFET‑транзисторы XMTI представляют собой передовую разработку в китайской электронной промышленности, сочетая высокую радиационную стойкость, надёжность в экстремальных условиях и соответствие международным стандартам качества. Данные компоненты активно используются в ключевых национальных космических программах.

Характеристики P-канальных радиационно-стойких полевых транзиcторов

Номер изделия	BV_DSS, В	I_O, А	R_DS, Ом	P_O, Вт	TID, крад (Si)	SEB, МэВ×см²/мг	SEGR, МэВ×см²/мг	Тип корпуса	Уровень качества	Промышленный аналог	Уровень локализации
LCS7390T2RH	≥-200	≥-4	≤0,8	25	≥100	≥75	≥75	TO-39	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7390 (IRHF9230)	A
LCS7382T2RH	≥-100	≥-6,5	≤0,3	25	≥100	≥75	≥75	TO-39	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7389 (IRHF9130CM)	A
LCS7426T1RH	≥-200	≥-27	≤0,16	250	≥100	≥75	≥75	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7426 (IRHM9260)	A
LCS7422U1RH	≥-100	≥-22	≤0,08	150	≥100	≥75	≥75	SMD-1	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7422U (IRHN9150SCS)	A
LCS7422T1RH	≥-100	≥-22	≤0,08	150	≥100	≥75	≥75	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7422 (IRHM9150SCS)	A
LCS7383T3RH	≥-200	≥-6,5	≤0,8	75	≥100	≥75	≥75	TO-257AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7383 (IRHY9230CM)	A
LCS7382U3RH	≥-100	≥-11	≤0,29	75	≥100	≥75	≥75	SMD-0.5	JCT, YB, YC, QY	IRHN9230	A
LCS7425U2RH	≥-100	≥-38	≤0,068	300	≥100	≥75	≥75	SMD-2	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7425U (IRHNA9160)	A
LCS7425T1RH	≥-100	≥-35	≤0,073	250	≥100	≥75	≥75	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7425IRH (M9160)	A
LCS7390U3RH	≥-200	≥-6,5	≤0,8	75	≥100	≥75	≥75	SMD-0.5	JCT, YB, YC, QY	IRHNJ9130	A
LCS7382T3RH	≥-100	≥-11	≤0,29	75	≥100	≥75	≥75	TO-257AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N 7382 IRHY9130CMSCS)	A
LCS7422SEU1RH	≥-100	≥-22	≤-0,08	150	≥100	≥75	≥75 VGS =15 В VDS=-100 В	SMD-1	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7422U (IRHN9150SCS)	A
LCS7422SET1RH	≥-100	≥-22	≤-0,08	150	≥100	≥75	≥75 VGS =15 В VDS=-100 В	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7422 (IRHM9150SCS)	A
LCS7382SEU3RH	≥-100	≥-11	≤-0,29	75	≥100	≥75	≥75 VGS =15 В VDS=-100 В	SMD-0.5	JCT, YB, YC, QY	IRHNJ9130	A
LCS7382SET2RH	≥-100	≥-6,5	≤-0,3	25	≥100	≥75	≥75 VGS =15 В VDS=-100 В	TO-39	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7389 (IRHF9130CM)	A
LCS7425SET1RH	≥-100	≥-35	≤-0,073	250	≥100	≥75	≥75 VGS =15 В VDS=-100 В	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7425 (IRHM9160)	A
LCS7625U3RH	≥-60	≥-22	≤-0,07	57	≥100	≥75	≥75	SMD-0.5	JCT, QY	JANSR2N7624U3 (IRHLNJ797034)	A
LCS7404U3RH	≥-20	≥-11	≤-0,04	50	≥100	≥75	≥75	SMD-0.5	JCT, QY	IRL5NJ7404	A

Характеристики N-канальных радиационно-стойких полевых транзиcторов

Номер изделия	BV_DSS, В	I_O, А	R_DS, Ом	P_O, Вт	TID, крад (Si)	Эффект SEB, МэВ×см²/мг	Эффект SEGR, МэВ×см²/мг	Тип корпуса	Уровень качества	Промышленный аналог	Уровень локализации
LCS7262T2RH	≥200	≥5,5	≤0,35	25	≥100	≥75	≥75	TO-39	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7262 (IRHF7230)	A
LCS7261T2RH	≥100	≥8	≤0,185	25	≥100	≥75	≥75	TO-39	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7261 (IRHF7130)	A
LCS7269AU1RH	≥200	≥26	≤0,1	150	≥100	≥75	≥75	SMD-1	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7269U (IRHN7250)	A
LCS7269AT1RH	≥200	≥26	≤0,1	150	≥100	≥75	≥75	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7269 (IRHM7250)	A
LCS7262U3RH	≥200	≥9,4	≤0,4	75	≥100	≥75	≥75	SMD-0.5	JCT, YB, YC, QY	IRHNJ7230	A
LCS7583U2RH	≥200	≥56	≤0,028	250	≥100	≥75	≥75	SMD-2	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7583U2 (IRHNA67260)	A
LCS7583T1RH	≥200	≥45	≤0,029	208	≥100	≥75	≥75	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7583U2 (IRHNA67260)	A
LCS7450U1RH	≥500	≥12	≤0,51	151	≥100	≥75	≥75	SMD-1	JCT, YB, YC, QY	IRHN7450SE	A
LCS7450T1RH	≥500	≥12	≤0,51	151	≥100	≥75	≥75	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	IRHM7450SE	A
LCS7587U3RH	≥100	≥22	≤0,042	75	≥100	≥75	≥75	SMD-0.5	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7587U3 (IRHNJ67130)	A
LCS7587T3RH	≥100	≥20	≤0,042	75	≥100	≥75	≥75	TO-257AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7588T3 (IRHYS67130)	A
LCS7591U3RH	≥200	≥16	≤0,13	75	≥100	≥75	≥75	SMD-0.5	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7591U3 (IRHNJ67230)	A
LCS7591T3RH	≥200	≥16	≤0,13	75	≥100	≥75	≥75	TO-257AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7592T3 (IRHYS67230)	A
LCS7469T1RH	≥100	≥45	≤0,014	208	≥100	≥75	≥75	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7471T1 (IRHMS57160)	A
LCS7469U2RH	≥100	≥75	≤0,012	250	≥100	≥75	≥75	SMD-2	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7469U2 (IRHNA57160)	A
LCS7394T1RH	≥600	≥35	≤0,03	150	≥100	≥75	≥75	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7394 (IRHM7054)	A
LCS7586U2RH	≥250	≥50	≤00,40	250	≥100	≥75	≥75	SMD-2	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7585U2 (IRHNA67264)	A
LCS7586T1RH	≥250	≥45	≤0,041	208	≥100	≥75	≥75	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7586T1 (IRHMS67264)	A
LCS7587SEU3RH	≥100	≥22	≤0,042	208	≥100	≥75	≥75	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7586T1 (IRHMS67264)	A
LCS7587SET3RH	≥100	≥20	≤0,042	75	≥100	≥75	≥75 (VGS=-15V，VDS=100V)	TO-257AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7588T3 (IRHYS67130)	A
LCS7591SEU3RH	≥200	≥16	≤0,13	75	≥100	≥75	≥75 (VGS=-15V，VDS=100V)	SMD-0.5	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7591U3 (IRHNJ67230)	A
LCS7483T3RH	≥60	≥18	≤0,040	75	≥100	≥75	≥75	TO-257AA	JCT, QY	IRHY57034 (JANSR2N7483T3)	A
LCS7589U3RH	≥150	≥19	≤0,088	75	≥100	≥75	≥75	SMD-0.5	JCT, QY	IRHNJ67134 (JANSR2N7589U3)	A
LCS7593U3RH	≥250	≥12,4	≤0,21	75	≥100	≥75	≥75	SMD-0.5	JCT, YB, YC, QY	IRHNJ67234 (JANSR2N7593U3)	A
LCS7262SET2RH	≥200	≥5,5	≤0,35	25	≥100	≥75	≥75 (VGS=-15V，VDS=200V)	TO-39	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7262 (IRHF7230)	A
LCS7583SET1RH	≥200	≥45	≤0,029	208	≥100	≥75	≥75 (VGS=-15V，VDS=200V)	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7584T1 (IRHMS67260)	A
LCS7591SET3RH	≥200	≥16	≤0,13	75	≥100	≥75	≥75 (VGS=-15V，VDS=200V)	TO-257AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7592T3 (IRHYS67230)	A
LCS7580SEU2RH	≥100	≥56	≤0,01	250	≥100	≥75	≥75 (VGS=-15V，VDS=200V)	SMD-2	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7579U2 (IRHNA67160)	A
LCS7580SET1RH	≥100	≥45	≤0,01	208	≥100	≥75	≥75 (VGS=-15V，VDS=200V)	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7580T1 (IRHMS67160)	A
LCS7391T1RH	≥400	≥22	≤0,20	250	≥100	≥75	≥75 (VGS=-15V，VDS=200V)	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7391 (IRHM7360SE)	A
LCS7465AU3RH	≥400	≥5	≤1,39	75	≥100	≥75	≥75 (VGS=-15V，VDS=200V)	SMD-0.5	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7465U3 (IRHNJ7330SE)	A
LCS7392T1RH	≥500	≥18	≤0,32	75	≥100	≥75	≥75 (VGS=-15V，VDS=200V)	TO-254AA	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7392 (IRHM7460SE)	A
LCS7464T2RH	≥500	≥2,5	≤1,77	25	≥100	≥75	≥75 (VGS=-15V，VDS=200V)	TO-39	JCT, YB, YC, QY	JANSR2N7464T2 (IRHF7430SE)	A

Таблица 3. Модели находятся в процессе разработки – N-канальные транзисторы

Номер изделия	BV_DSS, В	I_O, А	R_DS, Ом	P_O, Вт	TID, крад (Si)	Эффект SEB, МэВ×см²/мг	Эффект SEGR, МэВ×см²/мг	Тип корпуса	Уровень качества	Промышленный аналог	Уровень локализации
LCS7470U2RH	≥60	≥75	≤0,0056	250	≥100	≥75	≥75 (VGS=-15V，VDS=200V)	SMD-2	В стадии определения	JANRS2N7468U2	A
LCS7470T1RH	≥60	≥45	≤0,0066	250	≥100	≥75	≥75 (VGS=-15V，VDS=200V)	TO-254AA	В стадии определения	JANRS2N7470T1	A
LCS7581U2RH	≥150	≥56	≤0,018	250	≥100	≥75	≥75 (VGS=-15V，VDS=200V)	SMD-2	В стадии определения	JANRS2N7581U2	A

Для получения дополнительной информации по продукции XMTI обращайтесь по электронной почте info@prochip.ru.

к списку новостей

Авторизация

Восстановление пароля

Форма обратной связи