Публикации

21.05.2019

Геоструктуры на основе GaN в СВЧ в электронике: обзор работ

Полупроводниковые приборы на основе нитридов элементов III группы Периодической системы все шире применяются в электронике. Гетероструктуры на базе нитрида галлия (GaN) и его твердых растворов обладают физическими свойствами, которые обеспечивают приборам на их основе оптические, мощностные и частотные характеристики, позволяющие использовать их в разных областях, в числе наиболее перспективных – оптоэлектроника, силовая электроника и сверхвысокочастотная (СВЧ) электроника. В настоящей статье приводится обзор работ по применению GaN-гетероструктур и приборов на их основе в СВЧ-электронике.
Автор:  Андрей Туркин «Электроника НТБ» №6/2018
PDF:  Загрузить