Кристаллы светодиодов InGaN_SiC

Компания Cree – мировой лидер в производстве высокоэффективных кристаллов светодиодов. Выдающиеся характеристики светодиодов обусловлены использованием уникальных технологий InGaN эпитаксии на подложках из карбида кремния. Эта технология обеспечивает наивысшие показатели соотношения стоимость-эффективность для светодиодных источников света.

Основные достоинства кристаллов Cree: электрические соединения одним проводником, низкое прямое напряжение, сверхнизкая концентрация дефектов кристалла, низкое тепловыделение, высокая устойчивость к электростатическим напряжениям, высокая надежность.