Полупроводниковые материалы

Программа поставок полупроводниковых материалов ПРОЧИП включает в себя подложки (SiC), а также эпитаксиальные структуры — пластины карбида кремния (SiC) и пластины нитрида галлия (GaN).

Эпитаксиальные структуры

Эпитаксиальные структуры карбида кремния используются для изготовления компонентов силовой электроники благодаря своим высоким физическим параметрам, таким как теплопроводниость, подвижность носителей и пробивное напряжение. Эпитаксиальные структуры нитрида галлия в основном используются в СВЧ направлдении и в оптоэлектронике также благодаря своим высоким оптическим и электрическим характеристикам, таким как ширина запрещенной зоны, пробивное напряжение, подвижность носителей и теплопроводность.

Основные характеристики структур

Пластины карбида кремния (SiC)

Пластины SiC в основном предназначены для изговоления кристаллов компонентов силовой электроники, а также могут использоваться в качестве подложек для выращивания эпитаксиальных структур на основе нитрида галлия и его твердых растворов для СВЧ-применений и светодиодных кристаллов. По многим основным параметрам карбид кремния значительно превосходит полупроводниковые материалы на основе Si и GaAs, что делает его незаменимым особенно при производстве полупроводниковых приборов. Благодаря высоким значениям пробивного напряжения, теплопроводности и подвижностьи носителей (электронов и дырок), карбид кремния позволяет достичь наивысшей мощности на единицу площади кристалла в полупроводниковых приборах.

Основные характеристики подложек

Пластины нитрида галлия (GaN)

Плаcтины GaN применияются в основном для изготовления кристаллов СВЧ, светодиодных кристаллов и др. Электрические, механические и оптические свойства эпитаксиальных структур нитрида галлия позволяют обеспечивать компонентам на их основе улучшенные характеристики, что позволяет применять их в приборах для различных областей электроники, включая СВЧ-направления и оптоэлектронику. 

Основные характеристики подложек