Параметры эпитаксии на SiC подложках
Материалы Cree для высококачественных электронных приборов
Компания Cree остается лидером в разработке и исследованиях инновационных материалов. Cree специализируется на производстве материалов для силовой, СВЧ электроники и специальных оптоэлектронных приборов, которые необходимы для устройств с высокой эффективностью.
Компания Cree использует проверенную и надежную технику для исследования материалов
Компания Cree использует самые современные аналитические и технологические методы контроля, что всегда гарантирует высокое качество продукции. Cree предоставляет все данные о качестве эпитаксиальных слоев и подложек. Сертификат, который включает в себя техническую информацию об эпитаксиальных слоях и подложке, соответствующий спецификации материалов Cree, обязательно включается в отгрузочные документы.
Основные технические характеристики включают в себя:
- Атомно-силовую микроскопию
- Электронную микроскопию поверхности
- Электродисперсную спектроскопию
- Пропускание в УФ/видимом диапазоне
- Точечное исследование сопротивления бесконтактным методом
- Измерение вольт-фарадных характеристик с помощью ртутного зонда
- Измерение фотолюминесценции при переменной температуре
- Измерение эффекта Холла при переменной температуре
- Рентгеновские методы диагностики высокого разрешения:
- Структура подложки в обратном пространстве
- Кривые качания
- Рефлектометрия
-
SiC
Параметры эпитаксии на SiC подложках
Стандартные параметры эпитаксиальных слоев на SiC подложках диаметром 50,8 мм, 76,2 мм и 100,0 мм
-
GaN
Технологии роста GaN подложек
Cree производит нитрид галлиевые подложки используя метод хлоридгидридной газофазной эпитаксии (HVPE)...