SiC — Параметры эпитаксии на SiC подложках

Стандартные параметры эпитаксиальных слоев на SiC подложках диаметром 50,8 мм, 76,2 мм и 100,0 мм

Ориентация поверхности подложек: рост эпитаксиальных слоев возможен только на подложках off-axis ориентации
Проводимость	n-тип	p-тип
Легирующая примесь	Nitrogen	Aluminum
Концентрация примесей	N_D-N_A	N_D-N_A
Со стороны Si	9*10¹⁴-10¹⁹ см^-3	9*10¹⁴-10¹⁹ см^-3
Со стороны C	10¹⁶-10¹⁹ см^-3	–
Погрешность	± 25%	± 50%
Толщина эпитаксиального слоя со стороны Si
0,2-50,0 микрон	± 10% от выбранной толщины	± 10% от выбранной толщины
Толщина эпитаксиального слоя со стороны C
0,2-1,0 микрон	± 25% от выбранной толщины	–
1,0-10,0 микрон	± 15% от выбранной толщины	–

Примечания:

Нерабочая область (закраина) пластин диаметром 50,8 мм и 76,2 мм составляет 2 мм от края, для пластин диаметром 100,0 мм – 3 мм
N-тип: эпитаксиальный слой <20 микрон, 10¹⁸, буферный слой 0,5 микрон
N-тип: эпитаксиальный слой > 20 микрон, 10¹⁸, буферный слой 1,0 микрон
P-тип: буферный слой отсутствует
Заданная плотность примеси доступна после определенной толщины эпитаксии
Для политипа 6H толщина эпитаксиальных слоев ограничена 10 микрон
Возможно выполнение нестандартных заказов

Кол-во эпи-хслоев	≤5мк	6мк	10мк	11мк	20мк	21мк	50мк
SiC эпитаксия на подложках диаметром 50,8 мм
1	+	+	+	+	+	+	+
2	+	+	+	+	+	+	+
3	+	+	+	+	+	+	+
4	+	+	+	+	+	+	+
SiC эпитаксия на подложках диаметром 76,2 мм
1	+	+	+	+	+	+	+
2	+	+	+	+	+	+	+
3	+	+	+	+	+	+	+
4	+	+	+	+	+	+	+
SiC эпитаксия на подложках диаметром 100,0 мм
1	+	+	+	+	+	–	–

Дополнительная информация содержится в технической документации.

По запросу возможна не стандартная толщина эпитаксиальных слоев.