Полупроводниковые материалы CREE

Компания Cree - мировой лидер в области разработки технологий и производства материалов на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN). Компания является ключевым поставщиком пластин монокристаллов SiC и эпитаксиальных подложек SiC и GaN диаметром 50,8 мм, 76,2 мм и 100,0 мм на мировой рынок.

Приборы, выполненные на основе материалов SiC и GaN компании Cree, находят применение в таких сферах, как:

• Импульсные источники питания;
• Гибридные двигатели;
• Устройства связи различного применения;
• Радиолокационное оборудование.