Свойства и характеристики SiC

Благодаря своим уникальным физическим и электронным свойствам карбид кремния используют для создания высокоэффективных, высокотемпературных, радиационностойких, а также высокочастотных электронных приборов. В таблице приводится сравнение основных электронных свойств политипов SiC (4H-SiC и 6H-SiC) с кремниевыми (Si) и арсенидгаллиевыми (GaAs) полупроводниковыми материалами.

Основные преимущества SiC полупроводниковых материалов в сравнении с Si и GaAs:

• Напряженность электрического поля 4Н-SiC при возникновении лавинного пробоя более чем на порядок превышает соответствующие показатели у Si и GaAs. Это приводит к значительному снижению удельного сопротивления в открытом состоянии Ron.
• Малое удельное сопротивление в открытом состоянии, в сочетании с высокой плотностью тока и теплопроводностью, позволяет использовать очень маленькие по размерам кристаллы для силовых приборов.
• Высокая теплопроводность SiC снижает тепловое сопротивление кристалла.
• Электронные свойства приборов на основе SiC очень стабильны во времени и слабо зависят от температуры, что обеспечивает высокую надежность изделий.
• Карбид кремния чрезвычайно устойчив к жесткой радиации, воздействие которой не приводит к деградации электронных свойств кристалла.
• Высокая предельная рабочая температура кристалла (более 600⁰С) позволяет создавать высоконадежные приборы для жестких условий эксплуатации и специальных применений.